参数
高阻抗ITO导电膜
高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。
产品参数：
面电阻：300～500Ω/□
面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%
薄膜厚度：0.188±10%
线性度（MD）：≤1.5%
全光线透过率：≥86%
表面硬度（铅笔硬度）：≥3H
热稳定性：(R-R0)/R:±20%
热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%
加热卷曲：≤10mm
低阻抗ITO导电膜
低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。
产品参数：
薄膜厚度：0.175±10mm
雾度：<2%
宽度：406/360±2mm
粘附：100/100
卷曲：≤10mm
透过率：≥80%
表面电阻：90±15Ω/□
面电阻均匀性：<7%
热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0
热稳定性：
高温：80oC,120hr≤1.3
低温：-40oC,120hr≤1.3
热循环：-30oC—80oC≤1.3
热/湿度：60oC,90%RH,120hr≤1.3
产品介绍
ITO薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等,但使用最多的是反应磁控溅射法。nITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。
展览会
2014第十三届深圳国际触摸屏展览会
时间：2014年11月25日—27日
地点：深圳会展中心
