基本内容
晶體二極管（crystaldiode）固态電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特征是具有非線性的電流-電壓特性。此後随着半導體材料和工藝技術的發展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研制出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極管。制造材料有鍺、矽及化合物半導體。晶體二極管可用來産生、控制、接收、變換、放大信号和進行能量轉換等。半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的範圍内。
一、根據構造分類
1、點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，适用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信号的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。
2、鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或矽的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的pn結電容量稍有增加，但正向特性特别優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
3、合金型二極管
在N型鍺或矽的單晶片上，通過合金铟、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，适于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不适于高頻檢波和高頻整流。
4、擴散型二極管
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，适用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
5、台面型二極管
PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，隻保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台面形，因而得名。初期生産的台面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種台面型稱為擴散台面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的産品型号很少，而小電流開關用的産品型号卻很多。
6、平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型矽單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型号很少，而作小電流開關用的型号則很多。
7、合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法适用于制造高靈敏度的變容二極管。
8、外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能随意地控制雜質的不同濃度的分布，故适宜于制造高靈敏度的變容二極管。
