ITO導電膜

ITO導電膜

采用磁控濺射的方法得到的高技術産品
ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法,在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化铟錫(ITO)導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到的高技術産品。ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法(ITO薄膜的制備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等,但使用最多的是反應磁控濺射法),在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化铟錫(ITO)導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到的高技術産品。一般來說,在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下,ITO膜層越厚,PET-ITO膜的表面電阻越小,光透過率也相應的越小。
    中文名:ITO導電膜 外文名: 所屬品牌: 方式:蒸發、濺射、反應離子鍍 薄膜厚度:0.188±10% 面電阻:300~500 Ω/□

參數

高阻抗ITO導電膜

高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用于移動通訊領域的觸摸屏生産。

産品參數:

面電阻:300~500Ω/□

面電阻均勻性:MD≤±3%,TD≤±6%

薄膜厚度:0.188±10%

線性度(MD):≤1.5%

全光線透過率:≥86%

表面硬度(鉛筆硬度):≥3H

熱穩定性:(R-R0)/R:±20%

熱收縮率:MD≤1.0%,TD≤0.8%

加熱卷曲:≤10mm

低阻抗ITO導電膜

低阻抗ITO導電膜可用于對導電性能要求比較高的領域,如:用于薄膜太陽能電池的透明電極、電緻變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。

産品參數:

薄膜厚度:0.175±10mm

霧度:<2%

寬度:406/360±2mm

粘附:100/100

卷曲:≤10mm

透過率:≥80%

表面電阻:90±15Ω/□

面電阻均勻性:<7%

熱收縮:MD≤1.3,TD≤1.0

熱穩定性:

高溫:80oC,120hr≤1.3

低溫:-40oC,120hr≤1.3

熱循環:-30oC—80oC≤1.3

熱/濕度:60oC,90%RH,120hr≤1.3

産品介紹

ITO薄膜的制備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等,但使用最多的是反應磁控濺射法。nITO膜層的厚度不同,膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說,在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下,ITO膜層越厚,PET-ITO膜的表面電阻越小,光透過率也相應的越小。

展覽會

2014第十三屆深圳國際觸摸屏展覽會

時間:2014年11月25日—27日

地點:深圳會展中心

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