簡介
由2塊P型半導體中間夾着1塊N型半導體所組成的三極管,稱為PNP型三極管。
也可以描述成,電流從發射極E流入的三極管。
PNP型三極管發射極電位最高,集電極電位最低,UBE<0。
三極管按結構分,可分為NPN型三極管和PNP型三極管。
三極管導通時IE=（放大倍數+1)*IB和ICB沒有關系，ICB=0ICB>0時,可能三極管就有問題,所以三極管在正常工作時,不管是工作在放大區還是飽和區ICB=0。
當UBE>0.7V(矽)(鍺0.2V),RC/RB<放大倍數時,三極管工作在飽和區,反之就工作在放大區。
區别
PNP型三極管與NPN型三極管區别
2個PN結的方向不一緻。
PNP是共陰極，即兩個PN結的N結相連做為基極，另兩個P結分别做集電極和發射極；NPN則相反。
工作原理
晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾着一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分别稱為發射極e、基極b和集電極c。
當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀态，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀态，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）極基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流Ie。
由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，隻剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行複合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：Ie=Ib+Ic。這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：β=△Ic/△Ib。式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。
