全电流
一般情形下，通过空间某截面的电流应包括传导电流与位移电流，其和称全电流(total current)
I（全）=I（传）+I（位）=I（传）+∫s（〥D/〥t）·dS
（D为电通密度，S为截面面积，〥表示偏微分符号，下同）
全电流是连续的，在空间构成闭合回路。导线中有传导电流(一般，导体中也有很小的位移电流)，而电容器中有位移电流，即传导电流中断处，有位移电流接上。
全电流定律
设空间有n根载流导体，导体中的电流分别为i1、i2……in则沿任意可包含所有这些导体的闭合路径I，磁场强度h的线积分，等于这些导体电流的代数和。可表示为ΣHdl=ΣI
当闭合回线可分为几段，闭合回线的分段原则是：磁场强度相同，截面积相同，材料相同；而每段内H为常量，并和线段方向一致，沿闭合回线总磁压为各段磁压的代数和。这种情况下全电流定律又可表示为ΣHl=ΣI
若H与线段方向一致时，（Hl）为正，反之为负；凡是与闭合回线方向符合右手螺旋定则的电流为正，反之为负。
讨论
1.全电流定律既适用于电流恒定情况，又适用于非恒定情况。
对恒定情况，有〥D/〥t=0，有∮LHdl=I（传）
若所讨论的问题中，I（传）=0，则磁场仅由位移电流产生（磁场写作H（位））
即：∮LH（位）dl=I（位）
2.对比如下两方程：
变化的电场产生磁场∮LH（位）dl=∫s（〥D/〥t）·dS
变化的磁场产生电场∮LE（感）dl=-∫s（〥B/〥t）·dS（B为磁通密度）
可见两方程非常对称。其不同点在于变化电场和产生的磁场之间为右手螺旋关系，变化磁场和感生电场之间为左手螺旋关系。
4.关于麦克斯韦提出位移电流的假说：
1.麦克斯韦提出假说：变化的磁场在其周围空间会激发一种涡旋状的非静电场强，称为涡旋电场。并以此为基础总结出了电场的环路定理。
2.对于稳恒电流，磁场满足安培环路定理∮H*dl=∑I。
这个定理表明，磁场强度沿任意闭合回路的线积分等于穿过以该闭合回路为边界曲面的传导电流的代数和。但是，以闭合回路为边界的曲面不是唯一的，原则上有无穷多个。也就是说，在稳恒电流情况下，对于以闭合回路为边界的所有曲面而言，安培环路定理总是成立的。但是，对于非稳恒电流，情况将不是这样的。
比如取电容器两极板间为一闭合的曲面，但是由于其中没有传导电流，所以安培环路定理右边为零；但是不在两极板间取的回路，明显电流和不是为零的，导致运用安培环路定理的时候出现了矛盾。
所以麦克斯韦大胆的提出假说：变化的电场能在其周围激发磁场。
并将S*（dD/dt）定义为位移电流，那么在上面讲的例子当中，取在两个极板之间的回路，再应用安培环路定理就是成立的了，但是此时等式右边的电流不是单独的传导电流，而是加上假说提出的位移电流。
正是如此，麦克斯韦进一步完善了他的电磁场理论，由此他毅然提出了全电流定理，以来完善安培环路定理的缺陷，就如上面的表述。
通过以上的研究，麦克斯韦完善了他的电磁场理论。
