簡介
我們知道，在一般情況下，CPU外頻與内存外頻是一緻的，所以在提升CPU外頻進行超頻時，也必須相應提升内存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個平台，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主闆、DDR266内存。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，隻能通過提升外頻的方法超頻，假如将Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由于我們将CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規格内存，那麼将内存頻率設置為166MHz屬于标準頻率下工作，但這裡使用的是DDR266内存，為了滿足CPU超頻需求，内存也必須由原來的DDR266（133MHz）超頻到DDR333（166MHz）使用。具體方法是進入BIOS設置，找到“Advanced Chipset Features” 選項，然後會看到一個“DRAM Clock”選項，将光标定位到這裡并回車，然後會出現内存頻率設置選項，在這裡我們選擇“166MHz”并回車，保存設置并退出即實現了内存同步超頻。
内存異步超頻
在内存同步工作模式下，内存的運行速度與CPU外頻相同。而内存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令内存工作在高出或低于系統總線速度33MHz或3:4、4:5（内存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經常受限于内存的“瓶頸”。
對于支持SDRAM内存的老主闆而言（如815系列），在支持内存異步的主闆BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為總線頻率和内存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使内存的工作頻率比系統外頻高出33MHz，比如将賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的内存為PC133規格（即标準外頻為133MHz），此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下，而内存卻可以在133MHz頻率下運行，充分挖掘内存的超頻潛力并提升系統性能。
而對于支持DDR内存的老主闆而言（如845G芯片組），Intel規定845G隻支持DDR266（133MHz×2）内存，不過有的品牌845G主闆在BIOS中加入内存異步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例進行設置，可以讓内存運行在166MHz，從而支持DDR333（166MHz×2），并使内存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進入BIOS設置中，進入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項，然後進入“DRAM Frequency（内存頻率）”選項，在這裡可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項，我們直接選中“320MHz”即可。
增加電壓幫助超頻
内存頻率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默認情況下，主闆BIOS中内存電壓參數是被設置為内存标準頻率的數值，通常來說，為了确保内存超頻的穩定性，我們需要增加内存電壓，很多主闆BIOS設置中都提供了内存電壓調節功能，同時内存電壓調節級别一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節，内存電壓參數調節越細微，對超頻越有幫助。
調節内存電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項，然後将鼠标光标定位到“Current Voltage”上，在這裡我們看到，該主闆内存電壓分了好幾段，電壓調節範圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是，超頻時不要一次将内存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然後保存退出，進入WINDOWS系統對内存進行性能測試，如果很穩定，可以重新進入BIOS中再次将内存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。
