閃存

主要功能

閃存主要用在消費性電子産品，依其功能特性分為兩種：一種是NOR型閃存，以編碼應用為主，其功能多與運算相關；另一種為NAND型閃存，主要功能是存儲資料，如數碼相機中所用的記憶卡。nNOR型閃存和NAND型閃存占閃存的比重為7∶3，當前NOR型閃存仍位居主流地位。2003年随着便攜式産品如随身盤、可照相手機、數碼相機、MP3等在全球大流行，NAND型閃存陷入嚴重的供不應求；NOR型閃存身價同樣也是水漲船高。NOR型閃存主要的應用市場在手機，比重達40％以上。nNAND型閃存主要的應用市場在數碼相機，比重高達50％，其次為手機，比重在12％～15％。手機産業2003年下半年的谷底回春對全球沉寂好幾年的閃存市場，不論是NAND型閃存還是NOR型閃存，都是一劑有力的強心針。

概念

閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丢失。因

為閃存不像RAM（随機存取存儲器）一樣以字節為單位改寫數據，因此不能取代RAM。

閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼産品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據不同的生産廠商和不同的應用，閃存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤（MICRODRIVE）這些閃存卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。

分類

按種類分

U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe閃存卡

按品牌分

矽統（SIS）、金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創見、愛國者、紐曼、威剛、聯想、台電、微星、SSK、三星、海力士

【NAND型閃存】内存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以随機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512字節）。每一頁的有效容量是512字節的倍數。所謂的有效容量是指用于數據存儲的部分，實際上還要加上16字節的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術資

料當中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數是（512+16）字節的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則将頁容量擴大到（2048+64）字節。

NAND型閃存以塊（sector）為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目标區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節的頁（page），容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。

每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數據線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512字節。但較大容量的NAND型閃存也越來越多地采用16條I/O線的設計，如三星編号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數據單位是（256+8）×16bit，還是512字節。

尋址時，NAND型閃存通過8條I/O接口數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址隻夠尋址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若幹組，占用若幹個時鐘周期。NAND的地址信息包括列地址（頁面中的起始操作地址）、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分别分組，至少需要三次，占用三個周期。随着容量的增大，地址信息會更多，需要占用更多的時鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個重要特點就是容量越大，尋址時間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型閃存比其他存儲介質更不适合大量的小容量讀寫請求。

而比我們平常用的U盤存儲量更大，速度更快的閃存産品要屬PCIe閃存卡了，它采用低功耗，高性能的閃存存儲芯片，以提高應用程序性能。由于它們直接插到服務器中，數據位置接近服務器的處理器，相比其它通過基于磁盤的存儲網絡路徑來獲取信息大大節省了時間。企業正在轉向這種技術以解決存儲密集

型工作負載，比如事務處理應用。在PCIe閃存卡方面，LSI公司新的Nytro産品，擴大其基于閃存的應用加速技術到各種規模的企業。LSI推出了三款産品，到一個正變得越來越擁擠的PCIe閃存适配器卡市場。LSI Nytro産品戰略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用閃存存儲、LSI的SAS集成控制器和來自公司收購的閃存控制器制造商SandForce的技術。其第二代基于PCIe的應用加速卡容量從200GB到3.2TB不等。Nytro XD應用加速存儲解決方案的軟件和硬件的組合。它集成了WarpDrive卡與Nytro XD智能高速緩存軟件，以提高在存儲區域網絡(SAN)和直接附加存儲(DAS)實現中的I/O速度。最後，還有Nytro MegaRAID應用加速卡，它結合了MegaRAID控制器與闆載閃存和緩存軟件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，針對串行連接SCSI(SAS)DAS環境的性能增強解決方案。

微軟的SQL Server産品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的閃存産品在微軟服務器環境中的未來。因為 LSI的閃存産品Nytro MegaRAID可以幫助微軟SQL實現了每秒交易的10倍增長，

“閃存存儲技術，如LSI的Nytro應用加速産品組合，可以用來加速關鍵業務應用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的聲明中表示“随着微軟将在Windows Server 8中提供的增強，這些技術的重要性将繼續增長。”

存儲原理

要講解閃存的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指其中的内容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分别引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶矽栅極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空栅極是否帶電來表示存1或者0，浮空栅極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空栅極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空栅的上面再生成一個浮空栅，前者稱為第一級浮空栅，後者稱為第二級浮空栅。可給第二級浮空栅引出一個電極，使第二級浮空栅極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空栅極與漏極之間産生隧道效應，使電子注入第一浮空栅極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空栅極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。

閃存的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空栅MOS管組成。但是第一層栅介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空栅加以正電壓，使電子進入第一級浮空栅。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空栅與源極之間的隧道效應，把注入至浮空栅的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，随着半導體技術的改進，閃存也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動栅和選擇栅，

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動栅包裹着一層矽氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制栅。數據是0或1取決于在矽底闆上形成的浮動栅中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

閃存就如同其名字一樣，寫入前删除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動栅中導出電子。即 将有所數據歸“1”。

寫入時隻有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向栅電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動栅。

讀取數據時，向栅電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動栅沒有電子的狀态（數據為1）下，在栅電極施加電壓的狀态時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會産生電流。而在浮動栅有電子的狀态（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在栅電極的電壓被浮動栅電子吸收後，很難對溝道産生影響。

應用前景

“優盤”是閃存走進日常生活的最明顯寫照，其實早在U盤之前，閃存已經出現在許多電子産品之中。傳統的存儲數據方式是采用RAM的易失存儲，電池沒電了數據就會丢

失。采用閃存的産品，克服了這一毛病，使得數據存儲更為可靠。除了閃存盤，閃存還被應用在計算機中的BIOS、PDA、數碼相機、錄音筆、手機、數字電視、遊戲機等電子産品中。

追溯到1998年，優盤進入市場。接口由USB1.0發展到2.0再到最新的USB3.0，速度逐漸提高。U盤的盛行還間接促進了USB接口的推廣。為什麼U盤這麼受到人們歡迎呢？

閃存盤可用來在電腦之間交換數據。從容量上講，閃存盤的容量從16MB到64GB可選，突破了軟驅1.44MB的局限性。從讀寫速度上講，閃存盤采用USB接口，讀寫速度比軟盤高許多。從穩定性上講，閃存盤沒有機械讀寫裝置，避免了移動硬盤容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式閃存盤具有加密等功能，令用戶使用更具個性化。閃存盤外形小巧，更易于攜帶。且采用支持熱插拔的USB接口，使用非常方便。

閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發展。與傳統硬盤相比，閃存的讀寫速度高、功耗較低，市場上已經出現了閃存硬盤，也就是SSD硬盤，該硬盤的性價比進一步提升。随着制造工藝的提高、成本的降低，閃存将更多地出現在日常生活之中。

決定因素

頁數量

前面已經提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的芯片需要3個周期傳送地址信号，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。

頁容量

每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存（4Gb）提高了頁的容量，從512字節提高到2KB。頁容量的提高不但易于提高容量，更可

8gbit閃存

以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512字節頁容量，随機讀（穩定）時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，随機讀（穩定）時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。

讀取性能

NAND型閃存的讀取步驟分為：發送命令和尋址信息→将數據傳向頁面寄存器（随機讀穩定時間）→數據傳出（每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次）。

K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、尋址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512字節÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、尋址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB字節÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節頁容量約提高讀性能20%。

寫入性能

NAND型閃存的寫步驟分為：發送尋址信息→将數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面将其和尋址周期合并，但這兩個部分并非連續的。

K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、尋址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512字節÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、尋址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112字節/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節頁容量提高寫性能兩倍以上。

塊容量

塊是擦除操作的基本單位，由于每個塊的擦除時間幾乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若幹周期的命令和地址信息占用的時間可以忽略不計），塊的容量将直接決定擦除性能。大容量NAND型閃存的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb芯片的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb芯片的為512字節×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之内，前者的擦速度為後者8倍！

I/O位寬

以往NAND型閃存的數據線一般為8條，不過從256Mb産品開始，就有16條數據線的産品出現了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片實際應用的相對比較少，但将來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的芯片在傳送數據和地址信息時仍采用8位一組，占用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每頁仍為2KB，但結構為（1K+32）×16bit。

模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、尋址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB字節÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、尋址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB字節÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的芯片，将數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。

頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型閃存的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們将頻率提高一倍，達到40MHz，則K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、尋址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB字節÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子隻是為了方便計算而已。在三星實際的産品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率可達33MHz。

制造工藝

制造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中占去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！實際情況是，随着存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。

綜合來看，大容量的NAND型閃存芯片雖然尋址、操作時間會略長，但随着頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的芯片符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作時間（如信号穩定時間等）等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。

1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11對頁内進行尋址，可以被理解為“列地址”。

A12～29對頁進行尋址，可以被理解為“行地址”。為了方便，“列地址”和“行地址”分為兩組傳輸，而不是将它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若幹數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型閃存所謂的“行地址”和“列地址”不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，隻是一種相對方便的表達方式而已。為了便于理解，我們可以将上面三維的NAND型閃存芯片架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的“行”、“列”概念就比較直觀了。

與硬盤區别

如果單從儲存介質上來說 ，閃存比硬盤好 。但并不是音質上的好，是指數據傳輸的速度還有抗震度來說（閃存不存在抗震） 。要對比兩者之間的優劣并不難， 首先理解什麼是數碼，知道什麼是數碼信号之後就該清楚數碼信号通常是不受儲存介質幹擾的。（忽略音頻流文件的誤碼，硬盤和閃存在這個方面可以忽略，光盤不同。） 硬盤和閃存的數據準确性都很高 ，在同樣的測試條件下（相同解碼相同輸出...），兩者音質肯定是一樣的 。對于随身聽來說，贊同閃存式。

1.閃存的随身聽小。并不是說閃存的集成度就一定會高。微硬盤做的這麼大一塊主要原因就是微硬盤不能做的小過閃存，并不代表微硬盤的集成度就不高。再說，集成度高并不能代表音質一定下降。MD就是一個例子。

2.相對于硬盤來說閃存結構不怕震，更抗摔。硬盤最怕的就是強烈震動。雖然我們使用的時候可以很小心，但老虎也有打盹的時候，不怕一萬就怕萬一。

3.閃存可以提供更快的數據讀取速度，硬盤則受到轉速的限制 。

問題解決

1.什麼是usb2.0

usb 2.0是usb技術的新版本。傳輸速率高達480mbps，是usb1.1的40倍。适合新型高速外設。它繼承了usb 1.1的易用性，即插即用、免安裝驅動，完全兼容usb1.1标準，您已經購買的usb1.1 設備和連接線仍然可以繼續使用。

2.關于USB要知道：

USB1.1的閃存盤讀速一般為630KB，寫速一般為520KB；USB2.0的讀速一般為1.5MB，寫速一般為1.0MB

usb2.0設備接在usb1.1接口上，但受usb1.1的速度限制 發揮不了USB2.0效果。

同時使用usb2.0和usb1.1設備，在os 9.x系統中使用usb2.0設備可以，但必須安裝驅動程序；但是這些操作系統并不支持usb2.0，該設備在這些系統中隻能工作在usb1.1模式

6.讀寫閃存盤時，是否可以運行其它應用程序？

可以。

7.閃存盤可擦寫多少次？閃存盤裡的數據能保存多久？

閃存盤可擦寫1000000次，閃存盤裡數據可保存10年

8.一台電腦可同時接幾個閃存盤？

理論上一台電腦可同時接127個閃存盤，但由于驅動器英文字母的排序原因 以及現有的驅動器需占用幾個英文字母，故閃存盤最多隻可以接23個（除開 A、B、C) 且需要USB HUB的協助。

9.閃存盤在DOS狀态下能否使用

閃存盤支持WINDOWS虛拟DOS方式（啟動Windows後在附件中進入）。

10.閃存盤支持WINDOWS 95嗎

閃存盤不支持WINDOWS 95操作系統，建議用戶升級操作系統至WINDOWS98或以上版本。

11.WINDOWS NT4.0下閃存盤如何使用

12.閃存盤可以在什麼驅動程序下使用？

A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、Windows7、Windows8、Windows8.1、MAC OS、Linux。

13.閃存盤是否需要驅動程序？

在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驅動程序

14.閃存盤可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化嗎

可以。

15.閃存盤的内容能否加密？

可以。

16.閃存盤在局域網裡是否可以共享？

可以。

17.閃存盤可以存儲哪些類型的數據？

所有電腦數據都可以存儲，包括文件、程序、圖象、音樂、多媒體等。

18.安裝閃存盤時是否需要關閉電腦？

不需要，閃存盤是即插即用型産品，可以進行插拔。

19.閃存盤可以防水嗎？

閃存盤是電子類産品，掉入水中後可能會造成閃存盤内部短路而損壞。

20.插拔閃存盤時，有哪些注意事項

當閃存盤指示燈快閃時，即電腦在讀寫閃存盤狀态下，不要拔下閃存盤；當插入閃存盤後，最好不要立即拔出。特别是不要反複快速插拔，因為操作系統需要一定的反應時間，中間的間隔最好在5秒以上。

21.閃存盤是否會感染病毒？

閃存盤像所有硬盤一樣可能感染病毒

22.閃存盤用于桌面電腦時，并且USB接口在電腦的後面時，有什麼辦法使之更方便？

通過一條USB轉接電纜（具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle）與電腦連接

23.存盤的LED燈顯示表示什麼含義？

當LED燈亮的時候，它表示閃存盤連接成功暫時沒有數據傳輸。當LED閃爍的時候，它表示閃存盤正在數據傳輸過程中。

24.當閃存盤的LED還在閃時，是否可以拔出閃存盤？

不可以。會使閃存盤的數據丢失或使FAT表破壞且出現藍屏。當操作系統讀閃存盤時它會使電腦出現藍屏。

25.閃存盤上的文件出現亂碼或文件打不開

使用閃存盤專用工具做格式化

26.雙擊閃存盤盤符時，電腦提示閃存盤需格式化

當閃存盤分區表遭到破壞或是閃存盤性能不穩定時，會出現上述現象。出現這種問題，一般可以使用閃存盤專用工具做格式化

27.閃存盤寫保護不起作用，在寫保護關鎖狀态，數據也能夠順利寫入。

28.切換閃存寫保護開關，需要在斷開與電腦的聯接的狀态下進行。如果是在與電腦聯接狀态下切換了寫保護開關，需要重新插拔一次閃存，才能切實使切換起作用。

磁荷随機存儲器

兩家公司都認為，MRAM不僅将是閃存的理想替代品，也是DRAM與SRAM的強有力競争者。今年六月，英飛淩已将自己的第一款産品投放市場。與此同時，Freescale也正在加緊研發，力争推出4M bit芯片。

但是，一些評論者擔心MRAM是否能達到閃存存儲單元的尺寸。根據英飛淩的報告，閃存存儲單元的尺寸為0.1µm²；，而16M bit MRAM芯片僅達到1.42 µm²；。另外，MRAM的生産成本也是個不小的問題。

OUM

OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标準化内存）

OUM是由Intel研發的，利用Ge、Sb與Te等化合物為材料制成的薄膜。OUM。OUM的寫、删除和讀的功能與CD-RW與DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光來加熱和改變稱為硫系化合物（chalcogenides）的材料；而OUM則通過電晶體控制電源，使其産生相變方式來儲存資料。

OUM的擦寫次數為10的12次方，100次數據訪問時間平均為200納秒。OUM的速度比閃存要快。盡管OUM比MRAM的數據訪問時間要慢，但是低廉的成本卻是OUM的緻勝法寶。

與MRAM不同，OUM的發展仍處于初期。盡管已制成測試芯片，它們僅僅能用來确認概念而不是說明該技術的可行性。Intel在過去四年一直緻力于OUM的研發，并正在努力擴大該市場。

總結

除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的産品還有MRAM (FeRAM）、 Polymer memory (PFRAM）、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM）、 Organic RAM (ORAM）以及最近的Nanotube RAM (NRAM）。替代閃存的産品有許多，但是哪條路能夠成功，以及何時成功仍然值得懷疑。

對大多數公司而言，閃存仍是一個理想的投資。不少公司已決定加大對閃存的投資額。此外，據估計，到2004年，閃存總産值将與DRAM并駕齊驅，到2006年将超越DRAM産品。