发展历史
基本信息
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物。
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:270毫欧@12A,10V。
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流-连续漏极(Id)@25°C:20A
Id时的Vgs(th)(最大):4V@250µA
闸电荷(Qg)@Vgs:210nC@10V
在Vds时的输入电容(Ciss):4200pF@25V
功率-最大:260W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247AD
包装:管件
其它名称:IRFP460IX
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物。
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:270毫欧@12A,10V。
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流-连续漏极(Id)@25°C:20A
Id时的Vgs(th)(最大):4V@250µA
闸电荷(Qg)@Vgs:210nC@10V
在Vds时的输入电容(Ciss):4200pF@25V
功率-最大:260W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247AD
包装:管件
其它名称:IRFP460IX
电位滴定仪
色度仪
透光石
HART协议
1·6朝鲜地震
445端口
氮气加速系统
HIB
摩尔气体常数
航空售票系统
武直-9
三维彩超
结构性理财产品
Command键
SL9400
罗技G602
涂可诺
NOK密封圈
继电保护系统
地球眼卫星