氧化铟錫

基本内容

CAS号：50926-11-9

分子式：In2O5Sn

分子量：428.343

主要特性

氧化铟錫主要的特性是其電學傳導和光學透明的組合。然而，薄膜沉積中需要作出妥協，因為高濃度電荷載流子将會增加材料的電導率，但會降低它的透明度。

因為铟的價格高昂和供應受限、ITO層的脆弱和柔韌性的缺乏、以及昂貴的層沉積要求真空，其它取代物正被設法尋找。碳納米管導電鍍膜是一種有前景的替代品(石墨烯是最佳的替代品)。這類鍍膜正在被Eikos發展成為廉價、力學上更為健壯的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已經被愛克發和H.C.Starck制造出來.PEDOT:PSS層已經進入應用階段（但它也有當暴露與紫外輻射下時它會降解以及一些其他的缺點）。别的可能性包括諸如鋁-參雜的鋅氧化物。

使用

ITO主要用于制作液晶顯示器、平闆顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙等應用、有機發光二極管、以及太陽能電池、和抗靜電鍍膜還有EMI屏蔽的透明傳導鍍膜。

ITO也被用于各種光學鍍膜，最值得注意的有建築學中紅外線-反射鍍膜(熱鏡)、汽車、還有鈉蒸汽燈玻璃等。别的應用包括氣體傳感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。

ITO薄膜應力規可以在高于1400°C及嚴酷的環境中是用，例如氣體渦輪、噴氣引擎、還有火箭引擎。