術語信息
縮寫
在計算機領域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息（如日期、時間、啟動設置等）的芯片。有時人們會把CMOS和BIOS混稱，其實CMOS是主闆上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片，是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數的設定。
在今日，CMOS制造工藝也被應用于制作數碼影像器材的感光元件，尤其是片幅規格較大的單反數碼相機。
另外，CMOS同時可指互補式金氧半元件及制程。
因此時至今日，雖然因為工藝原因，都叫做CMOS，但是CMOS在三個應用領域，呈現出迥然不同的外觀特征：
一是用于計算機信息保存，CMOS作為可擦寫芯片使用，在這個領域，用戶通常不會關心CMOS的硬件問題，而隻關心寫在CMOS上的信息，也就是BIOS的設置問題，其中提到最多的就是系統故障時拿掉主闆上的電池，進行CMOS放電操作，從而還原BIOS設置。
二是在數字影像領域，CMOS作為一種低成本的感光元件技術被發展出來，市面上常見的數碼産品，其感光元件主要就是CCD或者CMOS，尤其是低端攝像頭産品，而通常高端攝像頭都是CCD感光元件。
三是在更加專業的集成電路設計與制造領域。
設置
如果是兼容台式電腦，并且是Award、AMI、Phoenix公司的BIOS設置程序，那麼開機後按Delete鍵或小鍵盤上的Del鍵就可以進入CMOS設置界面。
如果是品牌機（包括台式電腦或筆記本電腦），如果按Delete不能進入CMOS，那麼就要看開機後電腦屏幕上的提示，一般是出現【Press XXX to Enter SETUP】，我們就按“XXX”鍵就可以進入CMOS了。筆記本觸發鍵一般是F2或者Delete鍵。
如果沒有如何提示，就要查看電腦的使用說明書。如果實在找不到，那麼就試一試下面的這些品牌機常用的鍵：
“F2”，“F10”，“F12”，“Ctrl+F10”，“Ctrl+Alt+F8”，“Ctrl+Alt+Esc”等。
設置方法
一、進入CMOS設置界面
開啟計算機或重新啟動計算機後，在屏幕顯示“Waiting……”時，按下“Del”鍵就可以進入CMOS的設置界面。要注意的是，如果按得太晚，計算機将會啟動系統，這時隻有重新啟動計算機了。大家可在開機後立刻按住Del鍵直到進入CMOS。進入後，你可以用方向鍵移動光标選擇CMOS設置界面上的選項，然後按Enter進入副選單。
二、設置日期
我們可以通過修改CMOS設置來修改計算機時間。選擇第一個标準CMOS設定（Standard CMOS Setup），按Enter進入标準設定界面，CMOS中的日期的格式為<；；星期><；；月份><；；日期><；；年份>；；，除星期是由計算機根據日期來計算以外，其它的可以依次移動光标用數字鍵輸入，如今天是6月1日，你可以将它改為6月2日。當然，你也可以用Page Up/Page Down來修改。
三、設置啟動順序
如果我們要安裝新的操作系統，一般情況下須将計算機的啟動順序改為先由軟盤（A）啟動或光盤(CD-ROM）啟動。選擇CMOS主界面中的第二個選項BIOS特性設定（BIOS Features Setup），将光标移到啟動順序項（Boot Sequence），然後用PageUp或PageDown選擇修改，其中A表示從軟盤啟動，C表示從硬盤啟動，CD-ROM表示從光盤啟動，SCSI表示從SCSI設備啟動，啟動順序按照它的排列來決定，誰在前，就從誰最先啟動。如C:CDROM，A，表示最先從硬盤啟動，如果硬盤啟動不了則從光盤啟動，如果硬盤和光盤都無法啟動則從A盤啟動。在BIOS特性設定中，還有幾個重要選項：
①Quick Power On Self Test（快速開機自檢），當電腦加電開機的時候，主闆BIOS會執行一連串的檢查測試，檢查的是系統和周邊設備。如果該項選擇了Enabled，則BIOS将精簡自檢的步驟，以加快開機的速度。
②Boot Up Floppy Seek（開機軟驅檢查），當電腦加電開機時，BIOS會檢查軟驅是否存在。選擇Enabled時，如果BIOS不能檢查到軟驅，則會提示軟驅錯誤。選擇Disabled，BIOS将會跳過這項測試。
③Boot UP NumLock Status（啟動數字鍵狀态），一般情況下，小鍵盤（鍵盤右部）是作為數字鍵用的（默認為ON，啟用小鍵盤為數字鍵），如果有特殊需要，隻要将ON改成OFF，小鍵盤就變為方向鍵。
④Security Option（安全選擇)
有兩個選項，如果設置為Setup時，開機時不需要密碼，進入CMOS時就需要密碼（當然事先要設置密碼）了，但隻有超級用戶的密碼才能對CMOS的各種參數進行更改，普通用戶的密碼不行。如果設為System時，則開機時就需要密碼（超級用戶與普通用戶密碼都可以），到CMOS修改時，也隻有超級用戶的密碼才有修改權。
四、設置CPU
CPU作為電腦的核心，在CMOS中有專項的設置。在主界面中用方向鍵移動到“<<
五、設置密碼
CMOS中為用戶提供了兩種密碼設置，即超級用戶/普通用戶口令設定（SUPERⅥSOR/USER PASSWORD）。口令設定方式如下：
1．選擇主界面中的“SUPERⅥSOR PASSWORD”，按下Enter鍵後，出現：Enter Password：（輸入口令），
2．你輸入的口令不能超過8個字符，屏幕不會顯示輸入的口令，輸入完成按Enter鍵，
3．這時出現讓你确認口令：“Confirm Password”（确認口令），輸入你剛才輸入的口令以确認，然後按Enter鍵，就設置好了。
普通用戶口令與其設置一樣，就不再多說了。如果您需要删除您先前設定的口令，隻需選擇此口令然後按Enter鍵即可（不要輸入任何字符），這樣你将删除你先前的所設的口令了。超級用戶與普通用戶的密碼的區别在于進入CMOS時，輸入超級用戶的密碼可以對CMOS所有選項進行修改，而普通用戶隻能更改普通用戶密碼，而不能修改CMOS中的其它參數，聯系在于當安全選擇（Security Option）設置為SYSTEM時，輸入它們中任一個都可以開機。
六、設置硬盤參數
如果你要更換硬盤，安裝好硬盤後，你要在CMOS中對硬盤參數進行設置。CMOS中有自動檢測硬盤參數的選項。在主界面中選擇“IDE HDD AUTO DETECTION”選項，然後按Enter鍵，CMOS将自動尋找硬盤參數并顯示在屏幕上，其中SIZE為硬盤容量，單位是MB；MODE為硬盤參數，第1種為NORMAL，第2種為LBA，第3種為LARGE。我們在鍵盤上鍵入“Y”并回車确認。
接着，系統檢測其餘的三個IDE接口，如果檢測到就會顯示出來，你隻要選擇就可以了。檢測以後，自動回到主界面。這時硬盤的信息會被自動寫入主界面的第一個選項——标準CMOS設定（STANDARD CMOS SETUP）中。
七、保存設置
我們所做的修改工作都要保存才能生效，要不然就會前功盡棄。設置完成後，按ESC返回主界面，将光标移動到“SAVE & EⅪT SETUP”（存儲并結束設定）來保存（或按F10鍵），按Enter後，選擇“Y”，就OK了。
參數設置
如果CMOS不提供關閉操作，可使用軟件設置，方法如下：
1）使用開始菜單-運行命令，輸入msconfig指令；
2）選中"BOOT.INI"标簽，進入BOOT.INI設置界面；
3）選擇"高級選項"，彈出高級選項設置對話框。
設置内容
大緻都包含如下可設置的内容：
⒈Standard CMOS Setup：标準參數設置，包括日期，時間和軟、硬盤參數等。
⒉BIOS Features Setup：設置一些系統選項。
⒊Chipset Features Setup：主闆芯片參數設置。
⒋Power Management Setup：電源管理設置。
⒌PnP/PCI Configuration Setup：即插即用及PCI插件參數設置。
⒍Integrated Peripherals：整合外設的設置。
⒎其他：硬盤自動檢測，系統口令，加載缺省設置，退出等
電池放電
打開電腦的主機箱，可以在主闆右側看到一塊"圓"形成扁體的電池，這塊鈕扣電池也稱CMOS電池，保存主闆信息的BIOS設置，我在網吧工作，經常碰到主機啟動不了的情況，一般比較容易見效的方法是：将主機電源拔出來，意思是把電源線從電源盒拿下來，這樣是完全斷電狀态，取下主闆上的紐扣電池可以看到兩個金屬片，成上下，也就是正負極電路，将其對接讓它短路，按着幾秒鐘，放電基本成功.
還有一種叫小CMOS放電：同樣将電源線從電源盒上拔下來，在這樣的狀态下按"開機"按鈕，重試幾下，系統也将小放電，一般也可以解決電腦無法開機的問題.
常常聽到計算機高手或者非高手說“口令忘啦？給CMOS放電吧。”，這到底是什麼意思呢？
如果你在計算機中設置了進入口令，而你又碰巧忘記了這個口令，你将無法進入計算機。不過還好，口令是存儲在CMOS中的，而CMOS必須有電才能保持其中的數據。所以，我們可以通過對CMOS的放電操作使計算機“放棄”對口令的要求。具體操作如下：
打開機箱，找到主闆上的鈕扣電池，将其與主闆的連接斷開（就是取下紐扣電池或是調整跳線），此時CMOS将因斷電而失去内部儲存的一切信息。再将鈕扣電池接通，合上機箱開機，由于CMOS已是一片空白，它将不再要求你輸入密碼，此時進入BIOS設置程序，選擇主菜單中的“LOADBIOSDEFAULT”（裝入BIOS缺省值）或“LOADSETUPDEFAULT”（裝入設置程序缺省值）即可，前者以最安全的方式啟動計算機，後者能使你的計算機發揮出較高的性能。
數據恢複
文件CMOS.DAT的内容可以在DEBUG（或PCTOOLS等工具軟件）中顯示和編輯，也可将其再寫回CMOS，這裡給出自動寫回數據的程序：
/*把A盤CMOS.DAT文件的數據寫回CMOS中*/
#include"stdio.h"
main()
{charcmos[64];FILE*fp;inti;
fp=fopen("A:CMOS.DAT","rb");
fread(&cmos[0],1,64,fp);
for(i=0;i00)
口令
由于各種原因，有時需要破譯或者摧毀CMOS的口令，此時可以根據具體情況采取各種不同的方法。如果能啟動系統，但由于忘記或不知CMOS口令而無法進入CMOS設置狀态，此時可采用程序法來破譯CMOS的口令，用程序摧毀CMOS密碼的設置：
/*摧毀CMOS密碼*/
#include
voidfar(*p)()=MK_FP(0xffff,0x0000);
main()
{inti;
for(i=0x34;iDEBUG
―O7010
―O7101
―Q
另外，也可以把上述操作用DEBUG寫成一個程序放在一個文件中，具體操作如下：
C:>DEBUG
―A100
XXXX:0100MOVDX,70
XXXX:0103MOVAL,10
XXXX:0105OUTDX,AL
XXXX:0106MOVDX,71
XXXX:0109MOVAL,01
XXXX:010BOUTDX,AL
XXXX:010C
―RCX
CX0000
：0C
―NDELCMOS.COM
―W
Writing000Cbytes
―Q
以後，隻要能用軟盤啟動系統，運行DELCMOS.COM就能取消CMOS的設置。
曆史
CMOS是主闆上一塊可讀寫的RAM芯片，用于保存當前系統的硬件配置信息和用戶設定的某些參數。CMOS RAM由主闆上的鈕扣電池供電，即使系統斷電信息也不會丢失。對CMOS中各項參數的設定和更新可通過開機時特定的按鍵實現（一般是Del鍵）。進入BIOS設置程序可對CMOS進行設置。一般CMOS設置習慣上也被叫做BIOS設置。
CMOS與BIOS
BIOS是主闆上的一塊可讀寫的EPROM或EEPROM芯片，裡面裝有系統的重要信息和設置系統參數的設置程序（BIOSSetup程序）；CMOS是主闆上的一塊可讀寫的RAM芯片，裡面裝的是關于系統配置的具體參數，其内容可通過設置程序進行讀寫。CMOSRAM芯片靠鈕扣電池供電，即使系統斷電後信息也不會丢失。CMOSRAM既是BIOS設定系統參數的存放場所，又是BIOS設定系統參數的結果。
CMOS，即：Complementary Metal Oxide Semiconductor——互補金屬氧化物半導體（本意是指互補金屬氧化物半導體存儲器，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料），是微機主闆上的一塊可讀寫的RAM芯片。CMOS RAM芯片由系統通過一塊鈕扣電池供電，因此無論是在關機狀态中，還是遇到系統斷電情況，CMOS信息都不會丢失。
BIOS是一組設置硬件的電腦程序，保存在主闆上的一塊EPROM或EEPROM芯片中，裡面裝有系統的重要信息和設置系統參數的設置程序——BIOS Setup程序。而CMOS即：Complementary Metal Oxide Semiconductor——互補金屬氧化物半導體，是主闆上的一塊可讀寫的RAM芯片，用來保存當前系統的硬件配置和用戶對參數的設定，其内容可通過設置程序進行讀寫。CMOS芯片由主闆上的鈕扣電池供電，即使系統斷電，參數也不會丢失。CMOS芯片隻有保存數據的功能，而對CMOS中各項參數的修改要通過BIOS的設定程序來實現。CMOS RAM既是BIOS設定系統參數的存放場所，又是 BIOS設定系統參數的結果。因此，完整的說法應該是“通過BIOS設置程序對CMOS參數進行設置”。由于 BIOS和CMOS都跟系統設置密切相關，所以在實際使用過程中造成了BIOS設置和CMOS設置的說法，其實指的都是同一回事。
所謂BIOS，實際上就是微機的基本輸入輸出系統(BasicInput-OutputSystem），其内容集成在微機主闆上的一個ROM芯片上，主要保存着有關微機系統最重要的基本輸入輸出程序，系統信息設置、開機上電自檢程序和系統啟動自檢程序等。
BIOS功能主要包括以下方面：
一是BIOS中斷服務程序，即微機系統中軟件與硬件之間的一個可編程接口，主要用于程序軟件功能與微機硬件之間實現銜接。操作系統對軟盤、硬盤、光驅、鍵盤、顯示器等外圍設備的管理，都是直接建立在BIOS系統中斷服務程序的基礎上，操作人員也可以通過訪問INT5、INT13等中斷點而直接調用BIOS中斷服務程序。
二是BIOS系統設置程序，前面談到微機部件配置記錄是放在一塊可讀寫的CMOSRAM芯片中的，主要保存着系統基本情況、CPU特性、軟硬盤驅動器、顯示器、鍵盤等部件的信息。在BIOSROM芯片中裝有“系統設置程序”，主要用來設置CMOSRAM中的各項參數。這個程序在開機時按下某個特定鍵即可進入設置狀态，并提供了良好的界面供操作人員使用。事實上，這個設置CMOS參數的過程，習慣上也稱為“BIOS設置”。
三是POST上電自檢程序，微機按通電源後，系統首先由POST(PowerOnSelfTest，上電自檢）程序來對内部各個設備進行檢查。通常完整的POST自檢将包括對CPU、640K基本内存、1M以上的擴展内存、ROM、主闆、CMOS存貯器、串并口、顯示卡、軟硬盤子系統及鍵盤進行測試，一旦在自檢中發現問題，系統将給出提示信息或鳴笛警告。
第四為BIOS系統啟動自舉程序，系統在完成POST自檢後，ROMBIOS就首先按照系統CMOS設置中保存的啟動順序搜尋軟硬盤驅動器及CD—ROM、網絡服務器等有效地啟動驅動器，讀入操作系統引導記錄，然後将系統控制權交給引導記錄，并由引導記錄來完成系統的順利啟動。
相機領域
CMOS制造工藝也被應用于制作數碼影像器材的感光元件（常見的有TTL和CMOS），尤其是片幅規格較大的單反數碼相機。雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工藝，隻是将純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線後轉化為電能，再透過芯片上的數碼─類比轉換器（ADC）将獲得的影像訊号轉變為數碼訊号輸出。
CMOS與CCD的區别
1. 成像過程
CCD與CMOS圖像傳感器光電轉換的原理相同，他們最主要的差别在于信号的讀出過程不同；由于CCD僅有一個（或少數幾個）輸出節點統一讀出，其信号輸出的一緻性非常好；而CMOS芯片中，每個像素都有各自的信号放大器，各自進行電荷-電壓的轉換，其信号輸出的一緻性較差。但是CCD為了讀出整幅圖像信号，要求輸出放大器的信号帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個像元中的放大器的帶寬要求較低，大大降低了芯片的功耗，這就是CMOS芯片功耗比CCD要低的主要原因。盡管降低了功耗，但是數以百萬的放大器的不一緻性卻帶來了更高的固定噪聲，這又是CMOS相對CCD的固有劣勢。
2. 集成性
從制造工藝的角度看，CCD中電路和器件是集成在半導體單晶材料上，工藝較複雜，世界上隻有少數幾家廠商能夠生産CCD晶元，如DALSA、SONY、松下等。CCD僅能輸出模拟電信号，需要後續的地址譯碼器、模拟轉換器、圖像信号處理器處理，并且還需要提供三組不同電壓的電源同步時鐘控制電路，集成度非常低。而CMOS是集成在被稱作金屬氧化物的半導體材料上，這種工藝與生産數以萬計的計算機芯片和存儲設備等半導體集成電路的工藝相同，因此聲場CMOS的成本相對CCD低很多。同時CMOS芯片能将圖像信号放大器、信号讀取電路、A/D轉換電路、圖像信号處理器及控制器等集成到一塊芯片上，隻需一塊芯片就可以實現相機的的所有基本功能，集成度很高，芯片級相機概念就是從這産生的。随着CMOS成像技術的不斷發展，有越來越多的公司可以提供高品質的CMOS成像芯片，包括：Micron、 CMOSIS、Cypress等。
3. 速度
CCD采用逐個光敏輸出，隻能按照規定的程序輸出，速度較慢。CMOS有多個電荷-電壓轉換器和行列開關控制，讀出速度快很多，大部分500fps以上的高速相機都是CMOS相機。此外CMOS 的地址選通開關可以随機采樣，實現子窗口輸出，在僅輸出子窗口圖像時可以獲得更高的速度。
4. 噪聲
CCD技術發展較早，比較成熟，采用PN結或二氧化矽（SiO2）隔離層隔離噪聲，成像質量相對CMOS光電傳感器有一定優勢。由于CMOS圖像傳感器集成度高，各元件、電路之間距離很近，幹擾比較嚴重，噪聲對圖像質量影響很大。随着CMOS電路消噪技術的不斷發展，為生産高密度優質的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。
集成電路
綜述
CMOS同時可指互補式金氧半元件及制程。在同樣的功能需求下。
自1958年美國德克薩斯儀器公司（TI）發明集成電路（IC）後，随着矽平面技術的發展，二十世紀六十年代先後發明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它标志着由電子管和晶體管制造電子整機的時代發生了量和質的飛躍。
MOS是：金屬-氧化物-半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。
數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜态功耗在毫微瓦（nw）數量級。
電路原理
CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要麼PMOS導通、要麼NMOS導通、要麼都截至，比線性的三極管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。
相對于其他邏輯系列，CMOS邏輯電路具有以下優點：
1、允許的電源電壓範圍寬，方便電源電路的設計
2、邏輯擺幅大，使電路抗幹擾能力強
3、靜态功耗低
4、隔離栅結構使CMOS器件的輸入電阻極大，從而使CMOS期間驅動同類邏輯門的能力比其他系列強得多
發展曆史
早期的CMOS元件和主要的競争對手BJT相比，很容易受到靜電放電（ElectroStatic Discharge,ESD）的破壞。而新一代的CMOS芯片多半在輸出入接腳（I/O pin）和電源及接地端具備ESD保護電路，以避免内部電路元件的閘極或是元件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量電流燒毀。
早期的CMOS設置程序駐留在軟盤上的（如IBM的PC/AT機型），使用很不方便。多數廠家将CMOS設置程序做到了BIOS芯片中，在開機時通過按下某個特定鍵就可進入CMOS設置程序而非常方便地對系統進行設置，因此這種CMOS設置又通常被叫做BIOS設置。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要麼PMOS導通、要麼NMOS導通、要麼都截止，比線性的三極管(BJT）效率要高得多，因此功耗很低，因此，計算機裡一個紐扣電池就可以給它長時間地提供電力。
優點
相對于其他邏輯系列，CMOS邏輯電路具有以下優點：
⒈允許的電源電壓範圍寬，方便電源電路的設計
⒉邏輯擺幅大，使電路抗幹擾能力強
⒊靜态功耗低
⒋隔離栅結構使CMOS期間的輸入電阻極大，從而使CMOS期間驅動同類邏輯門的能力比其他系列強得多
CMOS發展比TTL晚，但是以其較高的優越性在很多場合逐漸取代了。TTL
以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。
⒈CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成
⒉CMOS的邏輯電平範圍比較大（5～15V），TTL隻能在5V下工作
⒊CMOS的高低電平之間相差比較大、抗幹擾性強，TTL則相差小，抗幹擾能力差
⒋CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）
⒌CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當。
詳細信息
1,TTL電平：
輸出高電平>2.4V，輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
2，CMOS電平：
1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3，電平轉換電路：
因為TTL和CMOS的高低電平的值不一樣（ttl5v<==>cmos 3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。
4，驅動門電路
OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外接上拉電阻和電源才能将開關電平作為高低電平用。否則它一般隻作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。
5，TTL和CMOS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短（5-10ns），但是功耗大。
CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長（25-50ns），但功耗低。
CMOS電路本身的功耗與輸入信号的脈沖頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現象。
3）CMOS電路的鎖定效應（擎柱效應）：
CMOS電路由于輸入太大的電流，内部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當産生鎖定效應時，CMOS的内部電流能達到40mA以上，很容易燒毀芯片。
制造過程
⒈p肼CMOS工藝
p肼CMOS工藝采用輕摻雜的N型襯底制備PMOS器件。為了做出N型器件，必須先在N型襯底上做出P肼，在p肼内制造NMOS器件。
典型的P肼矽栅CMOS工藝從襯底清洗到中間測試，總共50多道工序，需要5次離子注入，連同刻鈍化窗口，共10次光刻。下面結合主要工藝流程來介紹P肼矽栅CMOS集成電路中元件的形成過程。
⑴光1——光刻肼區，刻出肼區注入孔。
⑵肼區注入及推進，形成肼區。
⑶去除SiO2，長薄氧，長Si3N4
⑷光2——反刻有源區（光刻場區），反刻出P管、N管的源、漏和栅區。
⑸光3——光刻N管場區，刻去N管區上的膠，露出N管場區注入孔。N管場區注入，以提高場開啟，減 少闩鎖效應及改善肼的接觸。
⑹長場氧化層，出去Si3N4，再飄去薄的SiO2，然後長栅氧化層。
⑺光4——光刻P管區。p管區注入，調節PMOS管的開啟電壓，然後長多晶矽。
⑻光5——反刻多晶矽，形成多晶矽栅及多晶矽電阻。
⑼光6——光刻P+區，刻去P管及其他P+區上的膠。P+區注入，形成PMOS管的源、漏區及P+保護環。
⑽光7——光刻N+區，刻去N+區上的膠。N+區注入，形成NMOS管的源、漏區及N+保護環。
⑾長PSG
⑿光8——光刻引線孔。可在生長磷矽玻璃後先開一次孔，然後再磷矽玻璃回流及結注入推進後再開第二次孔。
⒀光9——反刻鋁引線。
⒁ 光10——光刻壓焊塊。
曆史
早期分離式CMOS邏輯元件隻有“4000系列”一種（RCA 'COS/MOS'制程），到了後來的“7400系列”時，很多邏輯芯片已經可以利用CMOS、NMOS，甚至是BiCMOS（雙載流子互補式金氧半）制程實現。
早期的CMOS元件和主要的競争對手BJT相比，很容易受到靜電放電（ElectroStatic Discharge, ESD）的破壞。而新一代的CMOS芯片多半在輸出入接腳（I/O pin）和電源及接地端具備ESD保護電路，以避免内部電路元件的栅極或是元件中的PN結（PN-Junction）被ESD引起的大量電流燒毀。不過大多數芯片制造商仍然會特别警告使用者盡量使用防靜電的措施來避免超過ESD保護電路能處理的能量破壞半導體元件，例如安裝内存模組到個人電腦上時，通常會建議使用者配戴防靜電手環之類的設備。
此外，早期的CMOS邏輯元件（如4000系列）的操作範圍可由3伏特至18伏特的直流電壓，所以CMOS元件的栅極使用鋁做為材料。而多年來大多數使用CMOS制造的邏輯芯片也多半在TTL标準規格的5伏特底下操作，直到1990年後，有越來越多低功耗的需求與信号規格出現，取代了雖然有着較簡單的信号接口、但是功耗與速度跟不上時代需求的TTL。此外，随着MOSFET元件的尺寸越做越小，栅極氧化層的厚度越來越薄，所能承受的栅極電壓也越來越低，有些最新的CMOS制程甚至已經出現低于1伏特的操作電壓。這些改變不但讓CMOS芯片更進一步降低功率消耗，也讓元件的性能越來越好。
近代的CMOS栅極多半使用多晶矽制作。和金屬栅極比起來，多晶矽的優點在于對溫度的忍受範圍較大，使得制造過程中，離子布值（ion implantation）後的退火（anneal）制程能更加成功。此外，更可以讓在定義栅極區域時使用自我校準（self-align）的方式，這能讓栅極的面積縮小，進一步降低雜散電容（stray capacitance）。2004年後，又有一些新的研究開始使用金屬栅極，不過大部分的制程還是以多晶矽栅極為主。關于栅極結構的改良，還有很多研究集中在使用不同的栅極氧化層材料來取代二氧化矽，例如使用高介電系數介電材料（high-K dielectric），目的在于降低栅極漏電流（leakage current）。
其他縮寫
媒體優化研究
（Cross Media OptimizationStudy)
美國IAB 互動廣告署 (Internet Advertising Bureau) 于2003年起聯合知名品牌廣告主、媒體、媒介代理等參與方，共同推動 XMOS 跨媒體優化研究（Cross Media Optimization Study），吸引多芬、麥當勞、福特、ING等衆多品牌參與，以及Google,Yahoo,AOL、MSN、cnet等媒體。
IAB 在英國、歐洲、澳大利亞等互聯網廣告較為成熟的國家同步推進，對于提高廣告投放ROI形成了非常有效的指導和幫助。
調研公司 Dynamic Logic等也在美國市場推動跨媒體研究，包含電視、互聯網、平媒、戶外等媒介評估 ，幫助廣告主優化媒介、營銷方法。
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