産生
這是一種真空中的自由電子。由于原子核和外層價電子的結合力能很小，因此外層的電子比較容易和原子脫離，使原子電離。一個能量很高的入射電子射入樣品時，可以産生許多的自由電子，這些自由電子中90%是來自樣品原子外層的價電子。
能量
二次電子的能量較低，一般不超過50eV。大多數二次電子隻帶有幾個電子伏的能量。
應用
二次電子一般都是在表層5~10nm深度範圍内發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。
但二次電子的産額和原子序數之間沒有明顯的依賴關系，所以不能用它來進行成分分析。
二次電子發射
具有足夠能量的帶電粒子（如電子、正離子、負離子）打到固體表面時，從固體表面發射出電子的現象。所逸出的電子稱為二次電子。二次電子的數目可小于也可數倍于入射電子或離子的數目。它主要取決于入射電子或離子的速度、入射角和物體的性質及其表面狀态。二次電子發射在光電倍增管、超正析像管和儲存管中得到了實際應用。在某些電子管中，二次發射是引起負阻效應的原因。在普通電子管中，為抑制負阻效應，增加了抑制栅極，使得從陽極撞擊出來的二次電子無法跑到屏栅極去，隻能返回陽極。
