簡介
這個是電路控制中的說法。在很多自動化設備中，電路最終都需要對一些執行部件（如電機、電磁鐵）實施控制，電路對這些執行部件的控制可通過繼電器、雙向晶閘管、晶體管等開關器件進行，因此對于電路的輸出端來說就有了與之對應的“繼電器輸出、雙向晶閘管輸出、晶體管輸出”等類型。
特性
晶體三極管輸出特性曲線（共發射極）
晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。我國生産的鍺三極管多為PNP型，矽三極管多為NPN型，它們的結構原理是相同的。
三極管有三個區、三個電極。其中基區（三極管中間的一層薄半導體）引出基極b；兩側有發射區引出發射極e及集電區引出集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。在電路符号上PNP型管發射極箭頭向裡，NPN型管發射極箭頭向外，表示電流方向。
基極電流Ib一定時，晶體三極管的Ic和Uce之間的關系曲線叫做輸出特性曲線。曲線以Ic（mA）為縱坐标，以Uce（V）為橫坐标給出，圖上的點表示了晶體管工作時Ib、Uce、Ic三者的關系，即決定了晶體三極管的工作狀态。從曲線上可以看出，晶體管的工作狀态可分成三個區域。飽和區：Uce很小，Ic很大。集電極和發射極飽和導通，好像被短路了一樣。這時的Uce稱作飽和壓降。此時晶體管的發射結、集電結都處于正向偏置。放大區：在此區域中Ib的很小變化就可引起Ic的較大變化，晶體管工作在這一區域才有放大作用。在此區域Ic幾乎不受Uce控制，曲線也較為平直，此時管子的發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置。截止區：Ib=0，Ic極小，集電極和發射極好像斷路（稱截止），管子的發射結、集電結都處于反向偏置。
