市場概況
市場地位
在韓國有4條8英寸晶圓生産線和一條12英寸生産線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生産線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒适的生活環境。海力士半導體緻力生産以DRAM和NAND Flash為主的半導體産品。
市場前景
海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅标榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，将盡心盡責，全力以赴。
發展過程
2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目将從29納米提升至25納米級,并争取提升至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大财閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月成立中國無錫市後續工程合作社
04月世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM産品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月世界最先獲得關于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾産品認證。
2008年12月世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器産品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月與ProMOS公司簽署關于加強長期戰略性合作的修改案
04月為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月簽署關于在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM産品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口芯片相關報複性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾産品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關于在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關于DDR3 DRAM的英特爾産品認證
04月DOC H3開始大量生産在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表“生态标記(ECO Mark)”與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任代表理事、社長
01月開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生産網絡
09月300mm研究生産線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的産品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月業界最先推出JEDEC标準8GB DDR2 R-DIMM
07月提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月發布2004年财務報表，實現高銷售利潤
01月與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協議
08月與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協議
07月獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月簽訂非内存事業營業權轉讓協議
03月行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月成功開發NAND閃存
2003年12月宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月宣布在世界上首次發表DDR500
06月512M DDR400産品在DRAM業内首次獲得因特爾的認證
05月采用0.10微米工藝技術投入生産，超低功率256Mb SDRAM投入批量生産
04月宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生産NAND閃存
03月發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月出售HYDIS，TFT-LCD業務部門
10月開發0.10微米、512MB DDR
08月在世界上首次開發高密度大寬帶256MB的DDR SDRAM
06月在世界上首次将256MB的SDR SDRAM運用于高終端客戶
03月開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月完成與現代集團的最終分離
07月剝離CDMA移動通信設備制造業務‘Hyundai Syscomm’
05月剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’
剝離網絡業務‘Hyundai Networks’
03月公司更名為“Hynix半導體有限公司”
2000年08月剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’
04月剝離電子線路設計業務‘Hyundai Autonet’
1999年10月合并LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月開發64M的DDR SDRAM
1997年05月在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月公司股票上市
1989年11月完成FAB III
09月開發4M的DRAM
1988年11月在歐洲當地設立公司（HEE）
01月開發1M的DRAM
1986年06月舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”
04月設立半導體研究院
1985年10月開始批量生産256K的DRAM
1984年09月完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要曆程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系産業保安方針在線舉報公司标志
相關事件
2013年9月4日下午3點半左右，無錫新區海力士公司的生産車間發生氣體洩漏，引發車間屋頂排氣管洗滌塔管道的保護層着火。無錫消防200多名官兵趕至現場撲救，截至當日18點，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10餘人去醫院進行呼吸道檢查，均無大礙。火災發生後，無錫市委主要領導作出批示，市政府和無錫新區領導第一時間趕赴現場組織開展滅火救援，市環保部門迅速組織對企業周邊環境、空氣質量情況進行檢測。火災原因仍在調查中。
2013年9月初發生在無錫新區SK海力士的一場大火已經過去了幾個月，這場大火盡管沒有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國内芯片市場和保險市場方面。
昨日（12月19日），有險企人士向《每日經濟新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報損約10億美元，保險業估損将達9億美元，這将是國内最大的一筆保險賠案。
據《中國保險報》此前報道，SK海力士5家承保公司中各自的份額分别為：現代保險占比50%，人保财險占比35%，大地保險、太平洋産險、樂愛金财險各占5%。
上述險企人士進一步介紹稱，該案件各家保險公司基本上都辦理了再保險，主要涉及的再保險公司包括：韓國再保險、瑞士再保險、慕尼黑再保險等，而這個案例會影響到直保和再保險财險公司的承保利潤，同時也将會導緻半導體行業來年費率以及再保險費率的上漲。
SK海力士大火的首席承保人是韓國現代财險，國内的人保财險和太平洋産險等13家公司都險都參與其中。SK海力士火災的最終賠付金額已确認在9億美元，這是國内保險史上的最大一筆理賠案。江蘇省保監局保險财産保險監管處處長王雷介紹，現在的進展情況是正在運行之中，已經預付了大約3億美金。13家大型保險公司都在為這起火災承擔賠付，這也将推高今年企業财産險的相關保費。
